1、分辨率：
高真空模式：15 kV时0.8 nm；1 k V时1.0 nm
低真空模式：15 kV时1. 2nm ；3 kV时1.8 nm
可分析磁性样品，1kV分辨率1.3nm；

2、探测器：极靴内T1、T2，样品室二次电子探测器ET-SED、低真空二次电子探测器LVD、镜筒内探测器T3、极靴内固定的定向背散射电子探测器GAD、可伸缩的扫描透射探测器STEM3+；

3、EDAX氮化硅窗口70mm2电制冷能谱；

该仪器具有超高分辨率，能做各种固态样品表面形貌的二次电子像、背散射电子像观察及图像处理。具有高性能x射线能谱仪，能同时进行样品表层的微区点线面元素的定性、半定量及定量分析，具有形貌、化学组分综合分析能力。广泛应用于半导体、无机非金属材料及器件等的检测与表面形貌观察。